Křemík (Si)

Křemík (Si)

• Křemík je po kyslíku (až 26 %) nejrozšířenějším prvkem v zemské kůře.
• Nevýhodou je, že se nevyskytuje v čistém stavu a je silně vázán ve sloučeninách.
• Výroba čistého křemíku je proto velmi složitá. To je dáno především jeho vysokou teplotou tání 1415 °C a vysokou chemickou reaktivitou při teplotě tání, proto se musí zpracovávat v ochranné atmosféře (vodík H2, argon Ar). nosnice
• Vyšší teplota tání umožňuje křemíkovým součástkám pracovat při teplotách až 200 °C. Proto se křemík stal nejpoužívanějším materiálem pro polovodičové součástky (diody, tranzistory, tyristory, fototranzistory, fototranzistory atd.), zejména integrované obvody.
• Obsah křemíkových příměsí v polovodičových součástkách nesmí překročit 10-11 %.
• Křemík má jednoduchou krystalickou strukturu, jednoduchou chemickou povahu, vhodné vlastnosti pro technologické zpracování, dostupné zdroje a velkou pohyblivost nosičů náboje.