Unipolární tranzistory Co potřebujete vědět -Unipolární tranzistor

Unipolární tranzistory Co potřebujete vědět – Unipolární tranzistor Unipolární tranzistory Unipolární tranzistor :

Unipolární tranzistor

je tranzistor využívající k zesílení elektrických signálů polní jev.

Tranzistory řízené elektrickým polem jsou moderní aktivní polovodičové součástky, v nichž je proud ve vodivém kanálu polovodiče řízen řídicím elektrickým polem na izolované elektrodě. Řídicí proud je nulový.

Na rozdíl od bipolárních tranzistorů je u tranzistorů s polem řízen kolektorový proud napětím mezi řídicí elektrodou a emitorem. Přenos proudu se uskutečňuje pomocí jednoho druhu nosičů náboje.

– využívají k řízení proudu protékajícího polovodičovou destičkou elektrostatické pole a na vedení proudu se podílejí pouze nosiče náboje jedné polarity. Tranzistory pracující tímto způsobem byly nazvány elektrostatické tranzistory s polem, resp. Field-Effect-Transistor = FET.

Distribuce

Polní tranzistor: (zkratka JFET nebo NIG FET, kde J = přechod, NIG = neizolované hradlo):

-Polní tranzistor s p-n přechodem: (Field-effect transistor with gate isolated p-n junction, field-effect transistor with gate isolated p-n junction, zkr. PPN FET nebo JFET v užším smyslu či FET v užším smyslu) Tyto tranzistory mají mezi hradlem a kanálem vytvořen p-n přechod, který je ovládán polarizací ve směru hradla.

Polní tranzistor s izolovaným hradlem: (zkratka IG FET, kde IG = izolované hradlo):

-Polní tranzistor s dielektrickou vrstvou na hradle: (=polní tranzistor s hradlem odděleným izolantem, polní tranzistor s hradlem izolovaným dielektrickou vrstvou, zkr. MISFET, kde M=kov, I=izolátor, S=polovodič).

Mohlo by vás také zajímat :

Bipolární tranzistory

Unipolární tranzistory – dělí se na:

MOSFET (kde O=oxid): tj. s hradlem izolovaným vrstvou oxidu)

MNSFET (kde N=nitrid) : tj. s hradlem izolovaným nitridovou vrstvou)

ISFET

ENFET

OFET

CNFET

Výhody a nevýhody 

Výhody tranzistorů FET

• Vstupní odpor je 1010 – 1015 Ω, vstupní kapacita 2 pF.
• Z hlediska výrobní implementace vyžadují výrazně menší počet výrobních operací. Zatímco realizace bipolárního obvodu TTL vyžaduje 140 výrobních operací, k realizaci podobného obvodu s tranzistory FET je zapotřebí pouze 40 výrobních operací.
• Výstupní obvod je dokonale oddělen od vstupního obvodu.
• Tranzistory FET vykazují v nízkofrekvenčních i vysokofrekvenčních zesilovačích velmi malý vlastní šum.
• Tranzistory FET vykazují malé nelineární zkreslení.
• Tranzistory FET vykazují velmi dobré spínací charakteristiky.
• Výkonové tranzistory FET stále častěji nahrazují bipolární tranzistory kvůli jednoduchosti zapojení a lepšímu výkonu.

Nevýhody tranzistorů FET

• Velký rozptyl prahového napětí UT až o několik
• Riziko poškození vstupů u tranzistorů IGFET.
• Klasické tranzistory FET mají nižší horní mezní frekvenci než bipolární tranzistory. Tento nedostatek odstraňují moderní typy FET-o.

Schematické značky